描述
stn4526是N沟道增强型功率场效应晶体管逻辑的
采用高密度,DMOS器件沟道技术。这种高密度
过程是特别定制,以尽量减少对国家的阻力。这些器件
特别适合于低电压应用,如电源管理和其他
高侧开关的电池供电电路
特征
40V/10.0A,RDS(ON)= 25mΩ(典型值)
@ VGS = 10V
40V/8.0A,RDS(ON)= 31mΩ
@ VGS = 4.5V
超高密度电池设计
极低的RDS(on)
特殊的阻力和**
直流电流的能力
SOP-8封装设计
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