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SiC用高温离子注入设备 IH-860DSIC

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产品
SiC用高温离子注入设备 IH-860DSIC
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企业信息
北京亚科晨旭科技有限公司
实名认证 企业认证
成立年份:
1998年
经营模式:
贸易商,服务商
企业类型:
企业单位
主营产品:
粘片机,球焊机,BGA返修台,插件机,气相回流焊,烙铁,超声扫描仪,X-RAY,拉力测试仪,探针测试,封焊机,LTCC,等离子清洗,真空烧结炉,键合机,BGA返修站,电烙铁,烟雾净化器,热风枪,点胶机
公司地址:
联系方式
电话:
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传真:
0632-5976067
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QQ:
2633643337
邮箱:
hzb@astchina.com
产品介绍
加工定制
型号
SiC用高温离子注入设备 IH-860DSIC
用途
SiC用高温离子注入设备 IH-860DSIC
别名
SiC用高温离子注入设备 IH-860DSIC
规格
SiC用高温离子注入设备 IH-860DSIC
品牌
BRUKER
有效期至
长期有效
最后更新
2024-03-25 09:57
功率
700KW
浏览次数
504

公司现已推出可用于使用SiC晶圆的家电和汽车功率元件量产的离子注入设备“IH-860DSIC”。吞吐量为30枚/小时(支持直径为75mm-150mm的晶圆),“现已得到元件厂商的充分肯定,完全可用于量产”(Ulvac公司)。面向SiC元件量产的离子注入设备“为业界首例”(Ulvac公司),希望得到那些计划2006年以后开始SiC元件量产的功率元件厂商的采用。  可在真空腔中连续更换晶圆  面向SiC元件的离子注入设备过去一直在由各设备厂商进行开发,吞吐量较低,每天仅有几枚,不适合量产。吞吐量之所以较低,是因为无法在腔内连续更换晶圆。与硅晶圆相比,SiC晶圆容易因离子注入而产生结晶缺陷,注入离子时需要将晶圆温度维持在500℃的高温,在控制结晶缺陷产生的同时,注入离子。过去一直都是手工将晶圆固定在可调温的晶圆座上,因此更换晶圆时需要在腔内进行放气。  此次通过给设备配备可调温的静电吸盘(Electrostatic Chuck),解决了上述问题。静电吸盘就是利用静电作用力,将晶圆吸附到晶圆座上,能够在真空腔内连续更换晶圆。另外,通过采用可在2个晶圆座上配置SiC晶圆的系统结构,能够一边向一个晶圆进行离子注入,一边同时给另一个晶圆座进行升温作业。由此,将吞吐量提高到了30枚/小时这种适用于量产的水平。  实现了支持SiC的高注入能量  此次的设备除吞吐量之外,还克服了量产所需的另一个条件。作为SiC晶圆,注入离子时在使晶圆保持高温的同时,还需要加大注入能量。其原因在于,在离子注入完成后为消除结晶缺陷而进行退火处理时离子不易扩散,因此注入时需要给底板的表面至深处都注入离子。此次的设备将注入能量由过去的约400keV提高到了**700keV,达到了量产所要求的水平。

 

离子注入设备

SiC用高温离子注入设备 IH-860DSIC

 搭载了高温ESC(静电吸附卡盘)的面向SiC量产用的高能粒子注入装置。

 

产品特性 / Product characteristics

• 可实现自动连续高温处理注入

• 1价离子可注入至350keV、2价离子可注入至700keV

       (Option:1价离子可注入至430keV、2价离子可注入至860keV)

• 通过Dual-End-Station(双工位)实现高产能;

       (A系4"高温ESC/B系3"高温ESC、A系6"高温ESC/B系6"常温ESC等等,可配合客户的希望就行规格配置)

• 可减轻操作员的负担

•      紧凑式设计

• 可大范围对应从试作到量产的各类需求

 

产品应用 / Product application

•  对应SiC的离子注入装置。

 

研究开发用中电流离子注入设备IMX-3500

中电流离子注入装置IMX-3500为**能量200keV、对应**晶圆尺寸8inch的离子注入装置,适用于大学等机构的研究开发。

 

产品特性 / Product characteristics

•       **晶圆尺寸8inch,搭载了可对应不定形基板的台板。

• 离子源,除Gas source之外,另外可以使用安全方面更容易处理的B、P、As离子等固体蒸发源。

• HV terminal的部分,与量产装置是同样的构成,可确保高信赖性。

产品应用 / Product application

 •      教育、研究开发等

 

高能对应离子注入设备SOPHI-400

**可对应至2400KeV的高能离子注入装置。

 

产品特性 / Product characteristics

• 枚叶式

• 可对应薄片Wafer

• 平行Beam

产品应用 / Product application

 •       功率器件相关薄片基板工艺、IGBT工艺

可对应低速高浓度的离子注入设备SOPHI-30

低加速、高浓度对应的离子注入设备。

 

产品特性 / Product characteristics

• 枚叶式

• 可对应薄片

• 非质量分离机的对比优点

         1)对应低加速.高浓度的好产能离子注入设备

         2)相比过去约一半的低价

         3)相比过往设备占用面积为1/3的紧凑型设计

产品应用 / Product application

• Power Device等薄片基板工艺、IGBT工艺

产品参数 / Product parameters

 • 基板尺寸:Max200mm


免责声明:当前页为 SiC用高温离子注入设备 IH-860DSIC产品信息展示页,该页所展示的 SiC用高温离子注入设备 IH-860DSIC产品信息及价格等相关信息均有企业自行发布与提供, SiC用高温离子注入设备 IH-860DSIC产品真实性、准确性、合法性由店铺所有企业完全负责。世界工厂网对此不承担任何保证责任,亦不涉及用户间因交易而产生的法律关系及法律纠纷,纠纷由会员自行协商解决。

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工商信息*以下内容来自第三方启信宝提供
法定代表人
彭辉
经营状态
存续
注册资本
1000 万人民币
实缴资本
500 万人民币
统一社会信用代码
911101057832377671
组织机构代码
783237767
企业注册号
110105009081828
企业类型
有限责任公司(自然人投资或控股)
登记机关
北京市朝阳区市场监督管理局
成立日期
2005年11月28日
营业期限
2005年11月28日--2055年11月27日
核准日期
2022年03月16日
注册地址
北京市朝阳区酒仙桥路14号53幢6层616室
经营范围
技术推广;市场调查;经济贸易咨询;展览服务;组织文化艺术交流活动(不含演出);货物进出口、技术进出口、代理进出口;销售机械设备、五金交电及电子产品、矿产品、建材及化工产品(不含危险化学品)。(市场主体依法自主选择经营项目,开展经营活动;依法须经批准的项目,经相关部门批准后依批准的内容开展经营活动;不得从事国家和本市产业政策禁止和限制类项目的经营活动。)