PN8162+PN8307H PD20W快充IC

PN8162概述PN 8162概述 PN8162 20W PD快充芯片内部集成了准谐振工作模式的电流模式控制器和功率MOSFET ,专用于高性能、外围PN 8162 20 W Pd快充芯片内部集成了准谐振工作模式的电流模式控制器和功率MOSFET，专用于高性能、外围 元器件精简的交直流转换开关电源。元器件精简的交直流转换开关电源. PN8162 PD快充芯片提供了极为全面和性能优异的保护功能,包括输出过压保护、逐周期过流保护、过载保护、PN 8162 PD快充芯片提供了极为全面和性能优异的保护功能，包括输出过压保护、逐周期过流保护、过载保护、 软启动、输入欠压保护功能。软启动、输入欠压保护功能. PN8162通过QR-PWM、QR-PFM、 Burst-mode的三 种模式混合调制技术和特殊器件低功耗结构技术实现了超低PN 8162通过qr-pwm、qr-pfm、突发模式的三种模式混合调制技术和特殊器件低功耗结构技术实现了超低 的待机功耗、全电压范围下的*佳效率。频率调制技术和Soft Driver技术充分保证良好的EMI表现。的待机功耗、全电压范围下的*佳效率.频率调制技术和软驱动程序技术充分保证良好的EMI表现。

PN8162 PD快充芯片特性PN 8162 PD快充芯片特性 ■内置690V高雪崩能力的功率MOSFET内置690V高雪崩能力的功率MOSFET a准谐振工作准谐振工作 *高开关频率1 25kHz*高开关频率12 5 kHz ■外围精简,无需启动电阻及CS检测电阻外围精简，无需启动电阻及CS检测电阻 高低压脚位两侧排列提高安全性高低压脚位两侧排列提高安全性 ■内置高压启动,空载待机功耗<50mW @230VAC内置高压启动，空载待机功耗<50 mW@230 VAC 改善EMI的频率调制技术改善电磁干扰的频率调制技术 ■供电电压9-38V , 适合宽输出电压应用供电电压9-38V，适合宽输出电压应用 ■优异全面的保护功能优异全面的保护功能 过温保护过温保护 .输出过压保护。输出过压保护 .输入欠压保护。输入欠压保护 .逐周期过流保护。逐周期过流保护 .输出开/短路保护。输出开/短路保护 :次级整流管短路保护：次级整流管短路保护 过负载保护过负载保护

PN8307H概述:PN 8307 H概述： PN8307H包括同步整流控制器及高雪崩能力功率MOSFET ,用于在高性能AC/DC反激系统中替代次级整流肖特PN8307 H包括同步整流控制器及高雪崩能力功率MOSFET，用于在高性能AC/DC反激系统中替代次级整流肖特 基二极管。PN8307H内置电压降极低的功率MOSFET以提高电流输出能力,提升转换效率,使得系统效率可以满足6基二极管.PN 8307 H内置电压降极低的功率MOSFET以提高电流输出能力，提升转换效率，使得系统效率可以满足6 级能效的标准,并留有足够的裕量。PN8307H集 成了极为全面的辅助功能，包含输出欠压保护、防误开启、*小导通级能效的标准，并留有足够的裕量.PN 8307 H集成了极为全面的辅助功能，包含输出欠压保护、防误开启、*小导通 时间等功能。时间等功能. PN8307H产品特征:PN8307H产品特征: ■内置11mQ 60V Trench MOSFET内置11 mQ 60V沟道MOSFET ■适用于3.6V-20V宽供电范围工作适用于3.6V-20V宽供电范围工作 ■适用于DCM和QR_工作模式■适用于DCM和QR_工作模式 ■自适应次级电流检测电路自适应次级电流检测电路 ■优异全面的辅助功能优异全面的辅助功能 欠压保护欠压保护 防误开启防误开启 *小导通时间*小导通时间

A0诚芯微刘云:PN8307H功能描述:PN8307H功能描述: 1.启动:在系统启动阶段,输出电压比较低时,芯片内置MOS体二极管作为次级的续流二极管。当VCC电压达到1.启动:在系统启动阶段，输出电压比较低时，芯片内置MOS体二极管作为次级的续流二极管.当vcc电压达到 VCC on时,芯片开始工作;当VCC电压低到VCC off时,芯片停止工作,芯片内置MOS体二 极管作为次级的续流二时，芯片开始工作；当vcc电压低到vcc离开时，芯片停止工作，芯片内置MOS体二极管作为次级的续流二上的vcc 极管继续工作。极管继续工作. 2.同步工作模式:芯片控制功率MOSFET开关以实现同步整流功能。当芯片检测到V SW <- 400mV时,控制器驱2.同步工作模式:芯片控制功率MOSFET开关以实现同步整流功能当芯片检测到V SW<-400 mV时，控制器驱 动功率MOSFET开启;当芯片检测到V SW > -30mV时, 控制器驱动功率MOSFET关闭。动功率MOSFET开启；当芯片检测到VSW>-30 mV时，控制器驱动功率MOSFET关闭。 3.自适应关断阈值调节: PN8307H能够精确地检测到内置功率MOSFET的漏源端压差。第一个开关周期3.自适应关断阈值调节：PN 8307 H能够精确地检测到内置功率MOSFET的漏源端压差。第一个开关周期 时关断阈值设定为初值(-30mV),从第_二个开关周期开始会根据采样的漏源端压差来自主调节关断阈值,经过若干周时关断阈值设定为初值(-30 mV)，从第_二个开关周期开始会根据采样的漏源端压差来自主调节关断阈值，经过若干周 期的调整,使得关断阈值为*佳关断值,以减小体二极管导通的时间,获得*佳的效率。期的调整，使得关断阈值为*佳关断值，以减小体二极管导通的时间，获得*佳的效率.