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WNM3053单N通道,30V,14.5A,功率MOSFET
产品描述:
WNM3053是N沟道增强MOS场效应晶体管。采用先进的沟槽技术和设计提供低栅极电荷的**RDS(ON)。
本装置适用于DC-DC转换,电源开关和充电电路。
标准产品WNM3053无铅。
产品特征:
沟槽技术
超高密度电池设计
优异的导通电阻
极低阈值电压
小包装SOP-8L
产品应用:
DC/DC转换器
电源转换器电路
便携式设备的负载/电源切换
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