产品特性
▲内置高压 MOS 功率管
▲SMD PLUS **散热封装形式
▲内置抖频工作模式，有效降低 EMI RE/CE 辐射
▲深度恒流和**恒压的功能
▲无电容/原边反馈控制
■±4%恒压/恒流精度
■无音频噪声控制模式
■输出短路保护
■无需外接补偿电容和采样滤波电容
▲输出线缆掉电补偿
▲内置软起动功能
▲多模式控制方式
▲**待机功耗≤70mW
▲前沿脉冲消隐(LEB)
▲内置斜率补偿，降低次谐波震荡
▲完善的保护功能 OCP、OVP、SLP、OTP 和 UVLO
项目 参数范围
VDD 芯片供电引脚电压范围 -0.3~30V
CS 电流检测引脚电压范围 -0.3~7V
FB 输入反馈引脚电压范围 -0.3~7V
PDMAX 功耗※2 1.5W
θJA PN 结到环境的热阻 72℃/W
TJ 工作结温范围 -40~150℃
TSTG 存储温度范围 -55~150℃
ESD ESD※3 2KV
※1：最大极限值是指超出该工作范围，芯片有可能损坏。推荐工作
范围是指在该温度范围内，器件功能正常，但并不完全保证满足个
别性能指标。电气参数定义了器件在工作范围内并在保证特定性能
指标的测试条件下的直流和交流电气参数范围。对于未给定上下限
值的参数，该规范不与保证其精度，但其典型值合理反映了器件性
能。
※2：温度升高最大功耗一定会减小，这也是由 TJMAX、θJA 和环境
温度TA 所决定的。最大允许功耗为PDMAX=(TJMAX-TA)/ θJA 或是极限
范围给出的数字中比较低的数值。
※3：人体模式，100pF 电容通过 1.5KΩ 电阻放电。
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