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Hitachi/日立
Philips/飞利浦
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ADV美国先进半导体
AEG美国AEG
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AEL英德半导体器件
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AMS美国微系统
APT美国先进功率
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ATT美国电话电报
AVA美德先进技术
BEN美国本迪克斯
BHA印度Bharat
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CEN美国中央半导体
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CSA美国CSA工业
CTR美国通信晶体管
DIC美国狄克逊
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Directed美国
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ETC美国电子晶体管
FCH美国范恰得
Federick美国
FER英德费兰蒂
FJD日本富士电机
FUM美国富士通微电子
GEC美国詹特朗
GEN美国通用电气
GEU加拿大Gennum
GPD美国锗功率器件
HARRIS/哈里斯
HFO德国VHB联合企业
HSC美国Hellos
IDI美国国际器件
INJ日本国际器件
InterFET美国
IPRS罗德
ISI英国英特锡尔
ITT德国楞茨标准电气
IXY美国电报半导体
KOR韩国电子
KYO日本东光
LTT法国电话
LUC英德LUCCAS
MAC美国M/A康姆
Mallory美国
MAR英国马可尼
MAT日本松下
Mcrwve美国
MIC香港微电子
Mistral德意
MITSUBISHI/三菱
MUL英国马德拉
NAS美德北美半导体
NEW英国新市场晶体管
NIP日本日电
NJR日本新日本无线电
NS/国半
NUC美国核电子产品
OKI日本冲电气工业
Omnirel美国
OPT美国Optek
ORG日本欧里井
PIS美国普利西
Poryfet美国
POW美国何雷克斯
PTC美国功率晶体管
RAY美德雷声半导体
REC美国无线电
RET美国雷蒂肯
RFG美国射频增益
RTC法德无线电
SAK日本三肯
Samsung/三星
SAN日本三舍
SEL英国塞米特朗
SEM美国半导体
SES法国巴黎斯
SGS法意电子
SHI日本芝蒲
SIE德国西门子AG
SIG美国西格尼蒂克斯
SIL美德硅技术
SML美德塞迈拉布
SOL美德固体电子
SON日本萦尼
SPE美国空间功率
SPR美国史普拉格
SSI美国固体工业
ST/意法
STC美国硅晶体管
STI美国半导体技术
SUP美国超技术
Teledyne美德
TEL德国德律风根
TES捷克Tesla
THO法国汤姆逊
TIX美国德州仪器
TOG日本东北金属工业
TOY日本罗姆
TRA美国晶体管
TRW英德TRN半导体
UCA英德联合碳化物
UNI美国尤尼特罗德
UNR波兰外资企业
VAL德国凡尔伏
WAB美德Walbern
WES英国韦斯特科德
YAU日本GENERAL
ZET英国XETEX
FAIRCHILD/仙童
INFINEON/英飞凌
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种类:
全部
结型(JFET)
绝缘栅(MOSFET)
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沟道类型:
全部
N沟道
P沟道
其他
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导电方式:
全部
耗尽型
增强型
更多
用途:
全部
A/宽频带放大
AM/调幅
CC/恒流
CHOP/斩波、限幅
C-MIC/电容话筒专用
D/变频换流
DC/直流
D-G双栅四极
DIFF/差分放大
DUAL/配对管
FM/调频
GEP/互补类型
HA/行输出级
HF/高频(射频)放大
HG/高跨导
HI-IMP/高输入阻抗
HI-REL/高可靠性
L/功率放大
LMP-C/阻抗变换
MAP/匹配对管
MIN/微型
MIX/混频
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MOS-FBM/全桥组件
MOS-HBM/半桥组件
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