性能 | 密度g/cm | 热膨胀系数10-6/℃ | 热导率w/(m·k) | 热容J/(kg·℃) | 弹性模量GPa | 泊松密度 | 熔点℃ | 强度MPa |
钨 | 19. 25 | 4. 5 | 174 | 136 | 411 | 0. 28 | 3410 | 550 |
铜 | 8. 92 | 16. 6 | 403 | 385 | 145 | 0. 34 | 1083 | 120 |
牌 号 | 铜 Cu | 钨 W | 杂质总和 | 密度 g/cm3(20 ℃) | 电导率 %IACS | 溶化温度 (℃) | 抗弯强度Mpa | 硬 度 |
CuW70 | 28-32 | 余量 | < 0.5 | 13.8-14 | ≥ 42 | ≥ 700 | ≥ 667 | ≥ 184 |
牌号 | 铜含量 | 钨骨架 相对密度 | 材料密度 g/cm | 相对 密度 | 抗拉强度MPa | 断裂韧性 MPa m | |
室温 | 800℃ | ||||||
WCu10 | 8~12% | 77~82% | 16.5~17.5 | ≥97 | ≥300 | ≥150 | 15~18 |
WCu7 | 6~9% | 82~86% | 17~18 | ≥97 | ≥300 | ≥150 | 13~15 |
4.电子封装材料:既有钨的低膨胀特性,又具有铜的高导热特性,其热膨胀系数和导电导热性可以通过调整材料的成分而加以改变。
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