华科智源 ITC57300动态参数测试仪 SIC IGBT动态参数测试仪

• 测试电压：**1200 VDC 200（短路电流可达1000A）
• 定时测量：**为1 ns
• 漏电流限制监视器
• -  MOSFET开关时间测试， Max VDD =1.2KV,0.1V Steps 
  -  MOSFET,Diodes Qrr/Trr反向恢复时间测试，Max VDD=1.2KV, 0.1V Steps
  -  Qrr range：1nc~100uc，Trr range：10ns~2us
  -  MOSFET栅电荷Qg测试，Max VDD =1.2KV,0.1V Steps 
  -  IGBT感性开关时间测试，Max VDD =1.2KV,0.1V Steps，Inductors range：0.1mH~159.9mH
  -  IGBT短路耐量测试，Max ISC=1000A
  测试标准： 
  - MIL-STD-750 Series

• 额外的电源供应器
• 额外的测试头
• 大包装适配器

• ITC57210 - N-通道和P-通道功率MOSFET，MIL-STD-750方法3472开关时间
• ITC57220 - TRR /电源，MOSFET和二极管的Qrr，MIL-STD-750方法，3473
• ITC57230 - 栅极电荷功率MOSFET，MIL-STD-750方法3471
• ITC57240 - 电感式开关时间为IGBT，MIL-STD 750方法3477
• ITC57250 - （ISC）短路耐受时间，MIL-STD-750方法3479

• 很容易改变的测试头
• 在不同参数的自动化测试
• 坚固耐用的PC兼容计算机
• 用户友好的菜单驱动软件
• 可编程测试出纸槽
• 电子表格兼容的测试数据
• 可选内部电感负载
• GPIB可编程测试设备
• 四通道高带宽数字示波器
• 脉冲发生器
• 1200V电源

• 测试头高电压互锁
• 接收端的高电压互锁
• 高速漏极供电开关

ITC57210 开关时间测试头

此测试头以美军标 MIL-STD-750, Method 3472，验证功率器件MOSFETs,P沟道和N沟道的开关时间。所测量的参数包括 ：Time Delay On [t_d(on)],RiseTime(t_r),Time Delay Off [t_d(off)],Fall Time(t_f)

ITC57220 Trr/Qrr测试头

ITC57220测试头以美军标MIL-STD-750, Method 3473，进行反向恢复Trr/Qrr测试。 

首先，驱动电路中的电感电流上升，电流升到所设定的值时，电源会被切开。电感内的的电流会通过被测器件中的二极管排放。经过一段短时间后，驱动器再次启动，致使器件中的二极管经历反向恢复动作。由此所捕捉到的波形经过分析后便能取得反向恢复时间，电流和累积电荷等数据。

ITC57230 栅电荷测试头

ITC57230对功率器件MOSFETs的栅电荷能力以美军标MIL-STD-750, Method 3471进行考验。 

先给MOSFET管的栅极加电压，在栅极打开时，把一个恒电流，高阻抗的负载接到MOSFTE管的漏极。

当漏极电流攀爬到用户设定的数值时，被测器件的栅电荷可通过向漏极导通可编程恒流源放电（或P沟道器件，向源极导通）。通过监视栅电压和波形下各部分的面积便可计算出电荷量。

ITC57240 感性负载开关时间测试头

ITC57240测试头以美军标MIL-STD-750, Method 3477的定义，实行感性负载开关时间测试。

IGBT驱动器会在电感圈内产生测试电流。当断开时，电流会通过寄生(齐纳)二极管。在这瞬间，打开和关闭DUT器件开始对开关时间和开关能量进行测试。当它开关时，DUT器件能观察到流入电感圈里的测试电流和横跨齐纳二极管的电压，而不受续流二极管所产生的任何反向恢复因素所影响。

ITC57250 短路耐量测试头

ITC57250以美军标MIL-STD-750, Method 3479的定义，实行短路耐抗时间测试。

在某些电路，如马达驱动电路，半导体器件须有能力抗衡并顶住短时间的短路状况。此测试就是用于验证器件在短路情况下所能承受的耐抗时间。器件内的电流是取决于器件的放大值(gain)和所使用的驱动脉宽。

ITC57260 结电容/栅极等效电阻测试头 Rg, Ciss, Coss & Crss

此测试头应用频率扫描和固定电感圈，找出所形成的RLC电路的共振点然后进行对功率器件MOSFET的栅极电阻测量。它同时也测量器件的输入电容(Ciss),输出电容(Coss)和反向电容(Crss).