SiC晶种(籽晶)
产品介绍:
SiC的物理和电学属性使其成为短波长光电、高温、耐辐射、高功率/高频率电子器件的**半导体材料。然而生长优质的SiC单晶非常困难,其中**要素就取决于SiC晶种的品质。晶种的类型、表面性质和吸附变化极大地影响着SiC晶体的生长类型、缺陷结构以及电学性质等等。
合能阳光提供的SiC晶种,可充分满足不同需求的客户,优质的晶种品质为客户SiC长晶的成品率与晶片质量提供了可靠的保障。
物理性质:
标准参数:
完全可以根据客户需求提供不同品质的晶种。Micropipe密度,标准控制在30/cm2以内,高品质可以控制在5/cm2以内。
技术参数:
■ 系统重复性:300~400nm
400~1000nm
1000nm以上
■ 测试光斑尺寸2mm~10mm
■ 测试速度:单次光谱扫描
典型客户:
美国,欧洲,亚洲及国内SiC衬底企业。
详情欢迎来电咨询:
北京合能阳光新能源技术有限公司
北京市通州区工业开发区光华路16号
: -104 传真:008
联系人:肖经理 QQ:454972757
Email:
董工:
Email:
公司网站://www.HenergySolar.com
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