TVS ESD ARRAY二极管及阵列
GBLC03C-LF-T7 GBLC05C-LF-T7 GBLC08C-LF-T7 GBLC12C-LF-T7
GBLC24C-LF-T7 GBLC03CI-LF-T7 GBLC05CI-LF-T7
PSOT03C-LF-T7 PSOT05C-LF-T7 PSOT12C-LF-T7 PSOT15C-LF-T7
PSOT24C-LF-T7 PSOT36C-LF-T7
PSRDA3.3-4-LF-T7 SLVU2.8-LF-T7 PSR05-LF-T7 SLVU2.8-4-LF-T7
SMF05C-LF-T7 PLR0504F RSB6.8S-LF-T7 RSB6.8C-LF-T7
SRV05-4-P-T7 PSM712-LF-T7 PTKPP3100SB-LF-T13
SM16LC15C-LF-T7 PSD03C-LF-T7 PSD05C-LF-T7 PSD08C-LF-T7
PSD12C-LF-T7 PSD18C-LF-T7 PSD24C-LF-T7 PSRDA05-4-LF-T7
EM8D-100L-LF-T7 SR12-LF-T7 PD10850Q-LF-T7 PSOT05LC-LF-T7
EM4D-100L-LF-T73 PD10753-LF-T7
大功率低容值瞬变二极管阵列
瞬态电压抑制元件LC03-3.3,LC03-6
LC Series 18 V 1800 W SMT Low Capacitance TVS for High Speed Interface - SOIC-8
可以保护连接到高频成分从电压高速数据通信线路浪涌引起的雷电,静电放电(ESD),电快速瞬变(EFT)。
适用于:低压接口•T3/E•10/100/1000以太网•机顶盒•ISDN接口,低工作电压3.3V大大减少发热带来的影响,高功率使数据传输更便捷,其内部结构特殊(详见下方电路图)
LC03-3.3电特性(Features):
1、高速接口的低电容。
2、超低漏:nA水平。
3、低工作电压:3.3V。
4、超低的箝位电压。
5、保护两线的共模和差模
6、jedec SO - 8封装
7、符合以下标准:
IEC61000-4-2(ESD)静电试验
空气放电: ±30Kv
接触放电: ±30kV
IEC61000-4-4 (EFT) 40A (5/50ns)
IEC61000-4-5 (Lightning) 100A (8/20μs)
符合rohs标准
大功率低容值瞬变二极管阵列
TVS LC03-6.TBT参数
电压, Vrwm: 6V
击穿电压范围: 6.8V
钳位电压 大: 20V
峰值脉冲电流: 100A
封装形式: SOIC
针脚数: 8
二极管类型: TVS
击穿电压: 6.8V
击穿电压 小: 6.8V
封装类型: SOIC
工作温度范围:-55°C到 +125°C
截止电压: 6V
电容, Cd典型值 @ Vr: 8pF
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