碳化硅元件在连续式窑炉与间歇式窑炉中，前者的寿命较长。这是因为元件在使用中表面氧化生成二氧化硅薄膜，长时间使用使二氧化硅皮膜增加，阻值也随之增加。二氧化硅薄膜在结晶临界点（270℃）附近发生异常膨胀、收缩。因在间歇式窑炉中间断使用总在此温度上下浮动，所以反复破二氧化硅薄膜，加速氧化。因此炉温经常降至室温时会急剧增加电阻，导致元件使用寿命缩短。
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