用化学气相沉积法(HotFilamentChemicalVaporDeposition)在不同的衬底上的白刚玉的制备方法和形核,并对Si、Ni、Cu三种不同的衬底的白刚玉膜如何增大形核密度、提高形核质量。同时还掺B白刚玉膜和N形Si衬底之间的P-N结效应。为开展白刚玉膜的半导体性质研究提供了一种方法。研究白刚玉膜在不同衬底的形核问题是沉积高质量的白刚玉膜的主要问题。通常把衬底分为三类白刚玉标准,**类:对于硅衬底的研究已经很成熟。第二类:对于镍衬底,可以采用在高温退火的过程中通入CH4以补偿熔解进入衬底的碳的损失的方法改善形核。第三类衬底中以Cu为代表买白刚玉,如果我们在Cu衬底上蒸镀一层C(60)膜作为过渡层,那么经过紫外光照射后,在合适的衬底温度下,可以改善白刚玉的形核。研究掺B的白刚玉膜和N型Si衬底之间的半导体P-N结效应研究。在N型引衬底上沉积一层连续的白刚玉膜,通过二次离子注入的方法使B离子比较均匀的分布在白刚玉膜中白刚玉,通过测量I-V曲线,可以明显的看出P-N结效应的存在。
白刚玉微粉以优质铝氧化粉为原料白刚玉,经电熔提炼结晶而成,白刚玉微粉可以用于精密铸造和**耐火材料,纯度高、自锐性好、耐酸碱腐蚀、耐高温、热态性能稳定,白刚玉微粉硬度略高于棕刚玉,白刚玉微粉韧性稍低,磨削能力强、发热量小、效率高,白刚玉微
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