西安易恩电气坐落于西安渭北工业装备区，是陕西省政府重点支持的高新技术企业。公司专注于研发、生产和销售半导体封装、测试设备。现已成为国内电力电子行业知名的测试方案供应商。公司以自主研发生产的“轨道机车半导体测试系统”系列产品为主导，在此基础上相继推出全自动大功率IGBT参数测试系统，分立器件综合测试仪，功率器件图示系统，晶体管图示仪，MOS动静态测试测试仪，晶闸管测试仪，雪崩、浪涌、高温阻断、高温反偏、栅电荷测试系统等系列产品。广泛应用于科研院所、能源、电力电子、交通、船舶制造、高校等诸多领域。
分立器件测试设备测试可测试市面上常见的18类分立器件静态全参数，如一下参数；
1、二极管DIODE
测试参数名称 | 电压范围 | 电流范围 | 分辨率 | 精度 |
IR | 0.10V-2kV | 1nA(20pA)1-50mA | 1nA(1pA)1 | 1%+10nA+20pA/V (1%+200pA+2pA/V)1 |
BVR | 0.10V-2kV | 1nA-3A | 1mV | 1%+10mV |
VF | 0.10V-5.00V -9.99V | IF:10uA-50A(1250A)3 -25A(750A)3 | 1mV | VF:1%+10mV IF:1%+1nA |
2、绝缘栅双极大功率晶体管IGBT
测试参数名称 | 电压范围 | 电流范围 | 分辨率 | 精度 |
ICES IGESF IGESR | 0.10V-2kV 0.10V-20V(80V)2 | 1nA(20pA)1-50mA 1nA(20pA)1-3A | 1nA(1pA)1 | 1%+10nA+20pA/V (1%+200pA+2pA/V)1 |
BVCES | 0.1V-900V -1.4KV -1.6KV | 100μA-200mA -100mA -50mA | 1mV | 1%+100mV |
VGETH | 0.10V-20V(50V)2 | 1nA-3A | 1mV | 1%+10mV |
VCESAT ICON VGEON VF gFS(混合参数) | VCE:0.10V-5.00V -9.99V VGE:0.10V-9.99V | IC:10uA-50A(1250A)3 -25A(750A)3 IF, IGE:1nA-10A | 1mV | V:1%+10mV IF IC:1%+1nA IGE:1%+5nA |
3、晶体管 TRANSISTOR
测试参数名称 | 电压范围 | 电流范围 | 分辨率 | 精度 |
ICBO ICEO/R/S/V IEBO | 0.10V-2kV 0.10V-20V(80V)2 | 1nA(20pA)1-50mA 1nA(20pA)1-3A | 1nA(1pA)1 | 1%+10nA+20pA/V (1%+200pA+2pA/V)1 |
BVCEO BVCBO BVEBO | 0.10V-900V -1.4kV -1.6kV 0.10V-2KV 0.10V-20V(80V)2 | 1nA-200mA -100mA -50mA -50mA 1nA(20pA)1-3A | 1mV | 1%+10mV 1%+10mV |
hFE(1-10000) | VCE:0.10V-5.00V -9.99V -49.9V | IC:10uA-50A(1250A)3 -25A(750A)3 -3A IB:1nA-10A | 0.01hFE | VCE: 1%+10mV IC: 1%+1nA IB: 1%+5nA |
VCESAT VBESAT VBE(VBEON) RE | VCE:0.10V-5.00V -9.99V VBE:0.10V-9.99V | IE:10uA-50A(1250A)3 -25A(750A)3 IB:1nA-10A | 1mV | V：1%＋10mV IE：1%＋1nA IB：1%＋5nA |
4、MOS场效应管 MOS-FET
测试参数名称 | 电压范围 | 电流范围 | 分辨率 | 精度 |
IDSS/VIGSSFIGSSR VGSFVGSR | 0.10V-2kV 0.10V-20V(80V)2 | 1nA(20pA)1-50mA 1nA(20pA)1-3A | 1nA(1pA)1 | 1%+10nA+20pA/V (1%+200pA+2pA/V)1 |
BVDSS | 0.10V-2kV | 1nA-50mA | 1mV | 1%+100mV |
VGSTH | 0.10V-49.9V | ID:100uA-3A | 1mV | 1%+ 10mV |
VDSON、VF(VSD) IDON、VGSON RDSON(混合参数) gFS (混合参数) | VD VF:0.10V-5.00V -9.99V VGS:0.10V-9.99V | IFID:10uA-50A(1250A)3 -25A(750A)3 IG:1nA-10A | 1mV | V:1%+10mV IF.ID:1%+1nA IG：1%+5nA |
5、J型场效应管J-FET
测试参数名称 | 电压范围 | 电流范围 | 分辨率 | 精度 |
IGSS IDOFF IDGO | VGS:0.10V-20V(80V)2 VDS:0.10V-999V | 1nA(20pA)1-3A 1nA(20pA)1-50mA | 1nA(1pA)1 | 1%+10nA+20pA/V (1%+200pA+2pA/V)1 |
BVDGO BVGSS | 0.10V-2kV 0.10V-20V(80V)2 | 1nA-50mA 1nA-3A | 1mV | 1%+100mV 1%+10mV |
VDSON，VGSON IDSS，IDSON RDSON (混合参数) gFS (混合参数) | 0.10V-5.00V -9.99V | ID:10uA-50A(1250A)3 -25A(750A)3 IG:1nA-10A | 1mV | V:1%+10mV ID:1%+1nA IG:1%+5nA |
VGSOFF | 0.10V-20V(80V)2 | ID:1nA(20pA)2-3A VD:0.10V-50V | 1mV | 1%＋10mV |
6、单向可控硅整流器（普通晶闸管）SCR
测试参数名称 | 电压范围 | 电流范围 | 分辨率 | 精度 |
IDRM、IRRM、 IGKO | 0.10V-2kV 0.10V-20V(80V)2 | 1nA(20pA)1-50mA 1nA(20pA)1-3A | 1nA(1pA)1 | 1%+10nA+20pA/V (1%+200pA+2pA/V)1 |
VDRM、VRRM BVGKO | 0.10V-2kV 0.10V-20V(80V)2 | 1nA-50mA 1nA-3A | 1mV 1mV | 1%+100mV 1%+10mV |
VTM | 0.10V-5.00V -9.99V | 10uA-50A(1250A)3 -25A(750A)3 | 1 mV | VT:1%+10mV IT:1%+1nA |
I GT VGT | VD:5V-49.9V VGT:0.10V-20V(80V)2 VT:100mV-49.9V | IGT:1nA-3A RL:12Ω/30Ω/100Ω /EXT | 1mV 1nA | 1%+10mV 1%+5nA |
IL(间接参数) | VD:5V-49.9V | IL:100μA-3A IGT:1nA-3A RL:12Ω/30Ω/100Ω /EXT | N/A | N/A |
IH | VD:5V-49.9V | IH:10uA-1.5A IGT:1nA-3A RL:12Ω/30Ω/100Ω /EXT (IAK初值由RL设置) | 1uA | 1%+2uA |
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