供应高纯贵金属黄金及金基合金溅射靶材Glod(Au)Targets科研及PVD必备材料
产品名称： | 高纯黄金及金基合金溅射靶材 |
牌号规格： | Au01、Au1、AuGe12、AuGeNi11.5-5、AuGeNi12-4、Au80Sn20 |
用途备注： | 金、金锗、金锗镍等溅射靶材通过磁控溅射工艺沉积在半导体芯片如GaAs、GaP、GaN等表面，形成欧姆接触膜、电极和连线膜。可形成多种金属化膜系统。 |
产 品 详 情
高纯贵金属金及合金是制造半导体芯片的关键基础材料。使用金靶材将金膜沉积在半导体芯片表面，形成欧姆接触膜、电极和连线膜，可形成多种金属化膜系统。该金属氧化膜系统可大量应用于制造发光二极管（LED），
军用和民用微波通信器件，航天、航空等重要领域用半导体化合物以及芯片太阳能电池等领域。
化学成分
序号 | 合**号 | 主成分 | |||||||||
Au | Ge | Ni | Ga | Be | |||||||
1 | Au1 | ≥99.99 | | | | | |||||
2 | Au01 | ≥99.999 | —— | —— | —— | —— | |||||
3 | Au88Ge | 88±0.5 | 余量 | —— | —— | —— | |||||
4 | Au83.5GeNi | 83.5±0.5 | 余量 | 5±0.4 | | | |||||
备注：可按客户要求提供其它成分的产品。 | |||||||||||
外形尺寸(mm) | |||||||||||
合**号 | 形状 | 规格 | 允许偏差 | 厚度 | 允许偏差 | ||||||
Au1、Au01 | 圆形 | 100-250 | ±0.1 | 3～6 | ±0.2 | ||||||
方形 | 127×381 | ±1 | 3～6 | ±0.2 | |||||||
AuGe12、Au83.5GeNi、 | 圆形 | 100-250 | ±0.3 | 6 | ±0.5 | ||||||
方形 | 127×381 | ±1 | 6 | ±0.5 | |||||||
备注：可供其它规格和允许偏差的产品。 | |||||||||||
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,芯片靶材。
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