MP6908模拟低压整流器被SR6908**替代

SR6908A是一个模拟低压降二极管集成电路，结合一个外部开关，取代在高效率反激电压转换器中的肖特基二极管。该芯片将外部同步整流器（SR）MOSFET 的正向压降控制在40mV左右，当电压为负时立即将其关闭。在低输出电压电池充电的应用中SR6908A可以为自己产生供电电压。可编程的振铃检测电路，防止 SR6908A在 DCM 和准谐振工作期间的错误开启。 SR6908A为节省空间的 TSOT23-6 封装。

特点● 支持低边整流应用● 可低至Ov的宽输出电压范围工作● 无辅助线圈低输出整流下自供电工作。● 12V标准和5V逻辑电平SR MOSFETS方式工作。● 符合能源之星1W待机的要求。● <30ns 快速关闭和打开延迟时间。● <100uA 静态电流。● 支持 DCM，Quasi-Resonant 和 CCM 工作方式。● 典型笔记本适配器中电能节约达1.5W。● TSOT23-6 封装。

工作原理：SR6908A支持 DCM和准谐振反激变换器以及CCM模式下的工作。控制电路以正向模式控制栅极，当 SR MOSFET 电流降至零时，将栅极关闭。启动和 VDD 生成HVC是线性稳压器的输入，输出为VDD。VDD稳定在9.5V，为包括VG的SR6908A供电。这里的 HVC可以是低边整流的vOUT直流电压或者如 SR MOSFET的漏极交流电压。当HVC在 4.7以上时，线性稳压源的最大充电电流为70mA，对VDD端外部1uF电容充电。当HVC高于10.5V时，VDD稳压在9.5V。VDD以0.7V降压差跟随HVC（即VDD=HVC-0.7V）变化，直至HVC下降到4.7。当HVC降至4.7v以下时，来自VD的 40mA输出电流会给 VDD充电，稳压在 5.2V。 Under-Voltage Lockout (UVLO)当VDD 增加到4V以上时，SR6908A退出 UvLO 并启用。一旦VDD低于3.6V， SR6908A即进入睡眠模式，VG 保持在低电平。