系统特征
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序号 |
测试器件 |
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01 |
二极管 |
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02 |
晶体管NPN型/PNP型 |
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03 |
J型场效应管 |
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04 |
MOS场效应管 |
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05 |
双向可控硅 |
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06 |
可控硅 |
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07 |
lGBT |
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08 |
硅触发可控硅 |
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09 |
达林顿阵列 |
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10 |
金属氧化物压变电阻 |
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12 |
固态过压保护器 |
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13 |
稳压、齐纳二极管 |
规格/环境：
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栅极发射极 |
VGES:0-40V |
分辨率0. 1V |
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lGES:0.1-10Ua |
分辨率0.01uA |
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Vce:0V |
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集电极发射极 |
Vces:100-3000v |
分辨率10V |
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lces:100UA-5mA |
分辨率10uA |
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Vge:0V |
Vge:0V |
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栅极发射极阈值电压 |
Vge(th):1-10V |
分辨率0lV |
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集电极 发射极 饱和电压 |
VCE(sat):02-5V |
分辨率0.01V |
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lCE:10-100A |
分辨率1A |
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二极管 |
VF:0-5V |
分辨率0.01V |
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lF:0-100A |
分辨率1A |
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Vge:0V |
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二极管反向** |
Vces:100-3000V |
分辨率10V |
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lces; 100UA-5mA |
分辨率10uA |
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