N-channel MOSFET
Features
■ High ruggedness
BVDSS : 500V
■ RDS(ON) (Max 3.15Ω)@VGS=10V
ID
: 3A
■ Fast reverse recovery body diode
RDS(ON) : 2.70ohm
■ Improved dv/dt Capability
■ Avalanche Tested
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