FT1000SA三轴MEMS零频电容加速度传感器
一、传感器特点：
FT1000SA三轴MEMS三轴电容加速度传感器由本公司自行研制，用于测量单轴加速度的传感器。它采用高精度MEMS芯片，具有BIMOS信号限制电路。设计考虑多用户的需求，制造采用表贴工艺技术。具有高可靠性和高封装坚固性。
本产品可用于汽车测控、惯性导航、飞行器安全系统、地震监控、倾斜、速度和位置的惯性、振动和冲击试验台加速度的测量等系统中。
二、产品性能
|
灵敏度（20±5℃） |
X Y Z:～40-20mv/g |
|
测量范围（峰值） |
50~100 g |
|
最大横向灵敏度 |
≤1 ％ |
|
频率响应（±5%） |
DC ～12000 Hz |
|
安装谐振频率 |
25,000 Hz |
|
频谱噪声 |
25 μg/√Hz |
|
工作温度范围 |
-40～+120 ℃ |
|
温度响应 |
见温度曲线 |
|
极性 |
正向 |
|
温度灵敏度稳定性 |
5% |
|
磁灵敏度 |
2 g/T |
|
线性度为满度范围 |
±0.1% |
|
安装 |
M5螺钉/安装座/磁座 |
|
敏感材料 |
MEAS芯片 |
|
壳体材料 |
钛合金 |
|
重量 |
13g |
|
输出方式 |
九芯插头/5线制 |
|
供电电压 |
DC7-12V |
|
配套件 |
|
|
传感器合格证 |
标定参数、频响曲线 |
|
M5螺栓/安装座 |
一套 |
|
9芯/（2 米） |
1根 |
FT1000SA系列MEMS电容三轴加速度传感器是建造在硅晶片顶部的表面MEMS多硅结构。多晶硅悬浮在晶片表面的结构，并提供一个克服加速度感应力的阻力。用包含两个独立的固定板和一个与运动质块相连的板形成的差动电容器机构来测量比例于加速度的多硅结构的偏转，从而产生电压输出信号。
免责声明：当前页为 FT1000SA三轴MEMS零频电容加速度传感器产品信息展示页，该页所展示的 FT1000SA三轴MEMS零频电容加速度传感器产品信息及价格等相关信息均有企业自行发布与提供， FT1000SA三轴MEMS零频电容加速度传感器产品真实性、准确性、合法性由店铺所有企业完全负责。世界工厂网对此不承担任何保证责任，亦不涉及用户间因交易而产生的法律关系及法律纠纷，纠纷由会员自行协商解决。
友情提醒：世界工厂网仅作为用户寻找交易对象，就货物和服务的交易进行协商，以及获取各类与贸易相关的服务信息的渠道。为避免产生购买风险，建议您在购买相关产品前务必确认供应商资质及产品质量。过低的价格、夸张的描述、私人银行账户等都有可能是虚假信息，请您谨慎对待，谨防欺诈，对于任何付款行为请您慎重抉择。
投诉方式：fawu@gongchang.com是处理侵权投诉的专用邮箱，在您的合法权益受到侵害时，请将您真实身份信息及受到侵权的初步证据发送到该邮箱，我们会在5个工作日内给您答复，感谢您对世界工厂网的关注与支持！
(c)2008-2025 世界工厂网V3.6 All Rights Reserved 豫ICP备2024066506号
