BW-IFSM/ITSM(方波 100μm-10ms/<1000A,正弦波 100μm-10ms/>3000A)可加热
是SIC相关半导体器件测试的重要检测设备
测试原理:
测试意义:
1)该系统的测试控制完全采用自动控制,测试可按测试员设定的程序进行自动测试。
2)该系统采用计算机记录测试结果,并可将测试结果转化为EXCEL文件进行处理。
3)该套测试设备主要由以下几个单元组成:
a、浪涌测试单元
b、阻断测试单元
C、自动加热控温系统
d、计算机控制系统,参数设定,测试数据记录,波形保存均有计算机完成,一键测试,
4)参考的相关标准:T-7624-2013《整流二极管测试方法》GB/T 4023-2015/IEC 60747-2:200
正弦半波浪涌电流范围:短路电流50~3000A,分辨率1A,精度<2%±1,低档范围:50~200A,计算机设定 范围:100~3000A 计算机设定b.浪涌电流底宽:0.1ms、1ms、8.3ms、 10ms正弦半波,偏差小于±3%,单选。c.浪涌电流重复测试间隔(可设定):2S~300S。
e.浪涌电流下的压降测试:压降测试范围0.01-50V,分辨率0.001V,精度<2%±0.01
f.正向浪涌波形和导通压降波形可自动显示并保存在电脑中。同时可保存波形的数据。
g、方波浪涌:电流宽度100-5000us,可任意调整参数宽度
h、方波电流范围:宽度:方波100-1000us:对应电流最大50-1000A
方波5-10mS:对应电流最大50-500A
方波0.1-1mS:对应电流最大50-1000A
浪涌电流输出方式:单次、重复(电流不变,重复测试)、递增(测试电流按设定步进自动增加,到目标或失效停止)
加热自动控温系统,含两套,模块为底板加热控温,分立器件为手动小型加热控温。控温范围:25-180℃,控温误差小于2%,设定温度手动设定。
a.正反向电压测试范围:50V~500V可调 ,分辨率1V,精度<2%±1。设定漏电流上限保护,再测试电压;如测试漏电流大于设定值停止加高压。判断为导通失效。b.反向电压输出方式:DC直流,正反向输c.漏电流:0.001~10mA,分辨率0.001mA,满量程的±5%e.测试过程:计算机设定,过程一键自动测试;自动完成判断是否浪涌失效,并自动保存测试数据g,适合封装:各类二极管,MOS、IGBT等,封装为TO直插或模块等,两种接口:1000A以下的直插接口,及模块接口(机柜侧面),所有接口均手动接入器件。
正向导通测试:栅极电压:5-25V可设定, 判断阻断电压给正向电压反向导通测试:栅极电压:-10-0V可设定,判断阻断电压给反向电压。参数设定主要是设定图11所示的几个关键参数,包括反向保护电压、保护电流(设定漏电流上限)、脉冲间隔时间(重复测试时间)、脉冲次数(重复次数)等。设定时需注意,有关参数不能超过系统设定范围,比如脉冲次数为1-20次,如输入30,则系统默认为20。电流宽度:选10uS或10mS电流方式:方波或正弦波电流换挡:低档(50-200A),高挡(100-3000A),方波50-1000A浪涌电流模式:单次、重复或递增递增测试:设定电流,再设起始电流,递进电流时增加量递增电流如:电流设定100A,起始电流70A,递增5A,点击运行,测试最终停止与100A脉冲次数即重复次数
可用于各类二管(Diode)以及可控硅(SCR)的正向浪涌电流(IFSM)试验,包括三管(Triode)、MOSFTE、IGBT等全控器件的内置二管的浪涌测试。二管元件在实际使用中,除了能通过额定通态平均电流外,还应能承受一定倍数的浪涌过载电流而不致损坏,以便适应在各种应用中的要求。二管浪涌过载电流如果超过其允许范围,轻者引起元件性能变坏(如伏安特性、通态峰值电压的变化)
技术指标:
浪涌电流(IFSM/ITSM)调节范围:0.30~3.60kA
分辨率0.01kA,精度±3%±0.01kA
电流波形:正弦半波,底宽10ms
测试频率:单次
反向电压(VRRM)调节范围:0.20~2.00kV,分辨率0.01kV,精度±5%
反向电压测试频率:50Hz;
反漏电流(IRRM)测试范围;1.0~100.0mA,分辨率0.1mA,精度±5%±0.1mA
工作方式:
由触摸液晶屏设定浪涌电流大小、反向电压值及反向漏电流保护值
上述设备配置输出及测试线,但不含测试用“夹具”。该“夹具”用于满足元件按照标准进行测试时所要求的温度和压力测试条件。
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