NCE40H12是一款采用先进结工艺技术生产的增强型N沟道MOSFET,采用先进的沟漕道工艺制做,导通阻低RDS(ON) ,开关速度快,低开启电压Vgs,带ESD保护,稳定性好,具有很高的EAS均匀性。
产品应用:
品名 | N沟道MOSFET NCE40H12 |
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型号 | NCE40H12 |
丝印标识 | 否 |
品牌 | 新洁能 |
封装 | TO-220 |
器件结构 | 沟槽型MOS管 |
结构类型 | 单通道 |
晶体管极性 | N管 |
通道模式 | 增强型 |
**N沟道漏源电压(+V) | ¥ 40.00 |
**P沟道漏源电压(-V) | 否 |
最小N沟道源源极间电压(+V) | 否 |
**N沟道漏源电流(+A) | ¥ 120.00 |
**P沟道漏源电流(-A) | 否 |
典型N沟道源源极间电流(+A) | 否 |
典型N沟道漏源导通电阻(mΩ) | ¥ 3.20 |
典型P沟道漏源导通电阻(mΩ) | 否 |
耗散功率(W) | ¥ 130.00 |
典型N沟道栅源电压(+V) | ¥ 1.90 |
典型P沟道栅源电压(-V) | 否 |
N沟道正向跨导 - 最小值(S) | ¥ 26.00 |
P沟道正向跨导 - 最小值(S) | 否 |
典型N沟道基极电荷(nC) | ¥ 75.00 |
典型P沟道基极电荷(nC) | 否 |
典型N沟道输入电容值(pF) | ¥ 5,400.00 |
典型P沟道输入电容值(pF) | 否 |
N沟道接通延迟时间(nS) | ¥ 15.00 |
P沟道接通延迟时间(nS) | 否 |
N沟道接通上升时间(nS) | ¥ 18.00 |
P沟道接通上升时间(nS) | 否 |
N沟道关断延迟时间(nS) | ¥ 52.00 |
P沟道关断延迟时间(nS) | 否 |
N沟道关断下降时间(nS) | ¥ 23.00 |
P沟道关断下降时间(nS) | 否 |
**环境工作温度 | 175℃ |
**环境工作温度 | -55℃ |
最小包装数量 | 1000 |
包装方法 | 管装 |
生产状态 | 量产中 |
工程技术 | MOSFET作用:1.场效应管应用于放大电路; 2.用于多级放大器的输入级作阻抗变换; 3.用作可变电阻;4.用作恒流源;5.用作电子开关。,MOSFET特点:1.场效应管是电压控制器件,通过VGS来控制ID;2.场效应管的输入端电流极小,因此它的输入电阻很大。3.它是利用多数载流子导电,温度稳定性较好; 4.场效应管的抗辐射能力强; 5.场效应管的噪声系数很小。 |
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