描述
stc4606是N和P沟道采用高密度增强型功率场效应晶体管
DMOS器件沟道技术。这种高密度的过程,特别是量身定制,以尽量减少对状态的阻力
并提供优越的开关性能。该装置特别适合于低电压应用
如笔记本电脑电源管理和其他电池供电电路,在高侧
开关,低的在线功率损耗和电阻瞬态是必要的。
特征
N沟道
30V / 6.9a,RDS(ON)=30mΩ(典型值
@ VGS = 10V
30V / 6.0A,RDS(ON)= 46mΩ
@ VGS = 4.5V
P沟道
- 30V / -6.0a,RDS(上)= 51mΩ(典型值
@ VGS = - 10V
- 30V / -5.0a,RDS(上)= 70mΩ
@ VGS = - 4.5V
超高密度电池设计
极低的RDS(on)
特殊的阻力和**
直流电流的能力
SOP-8封装
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