IGBT
(Insulated Gate Bipolar Transistor)，绝缘栅
双极型晶体管
，是由BJT(双极型
三极管
)和MOS(
绝缘栅型场效应管
)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体
器件
, 兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。GTR饱和压降低，载流
密度
大，但驱动电流较大；MOSFET驱动功率很小，开关速度快，但导通压降大，载流密度小。IGBT综合了以上两种器件的优点，驱动
功率
小而饱和压降低。非常适合应用于
直流电压
为600V及以上的变流系统如交流电机、变频器、
开关电源
、照明电路、
牵引
传动等领域。
IGBT模块
是由IGBT（绝缘栅
双极型晶体管
芯片）与FWD（续流二极管芯片）通过特定的电路桥接封装而成的模块化半导体产品；封装后的IGBT模块直接应用于变频器、UPS不间断电源等设备上；
IGBT模块具有节能、安装维修方便、散热稳定等特点；当前市场上销售的多为此类模块化产品，一般所说的IGBT也指IGBT模块；随着节能环保等理念的推进，此类产品在市场上将越来越多见；
IGBT是能源变换与传输的核心器件，俗称电力电子装置的“CPU”，作为国家战略性新兴产业，在轨道交通、智能电网、航空航天、电动汽车与新能源装备等领域应用极广。
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