| 类型 | 描述 |
| 类别 | 分立半导体产品 |
| 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | |
| 制造商 | Vishay Siliconix |
| 系列 | - |
| 包装 | 管件 |
| 零件状态 | 有源 |
| FET 类型 | N 通道 |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 3.1A（Tc） |
| 驱动电压（*大 Rds On，*小 Rds On） | 10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（*大值） | 5 欧姆 @ 1.9A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（*大值） | 4V @ 250µA |
| Vgs（*大值） | ±20V |
| FET 功能 | - |
| 功率耗散（*大值） | 125W（Tc） |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 通孔 |
| 供应商器件封装 | TO-220AB |
| 封装/外壳 | TO-220-3 |
| 漏源电压（Vdss） | 1000 V |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（*大值） | 80 nC @ 10 V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（*大值） | 980 pF @ 25 V |
| 基本产品编号 | IRFBG30 |
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