泰美克 半导体晶圆——红外锗片

红外锗片，作为一种重要的半导体材料，在半导体领域和红外光学中扮演着关键角色。锗片的材料特性主要包括高折射率（在2-14μm波段约为4.0），以及在特定波段的光学性能变化。锗片的折射率略大于4，这有利于降低像差，对光学设计有利。同时，锗片的dn/dt系数相对较高，这可能导致红外光学系统随温度变化产生较大的焦平面位移。锗片在长波红外和中波红外光学系统中广泛使用，分别适合作为消色差双透镜中的冕牌或正元件以及火石或负元件。此外，锗片的透射率对温度敏感，因此在使用时需要考虑温度变化的影响。

在半导体领域中，锗的应用广泛而重要。它被用于制造高速电子器件和光电器件，如高纯度锗晶片用于太阳能电池和红外探测器的制造。锗单晶材料在半导体器件制造、红外光学、光纤通信、太阳能电池等领域都有广泛应用。锗的化学性质稳定，常温下不与空气或水蒸汽作用，但也会形成GeO的单层膜，时间长了会逐渐变成GeO2单层膜。在600～700℃时，很快生成GeO2。

锗片的应用不**于半导体和红外光学领域，还涉及到航空航天测控、核物理探测、光纤通讯、化学催化剂、生物医学等领域。例如，锗掺杂的光纤具有容量大、光损小、色散低、传输距离长及不受环境干扰等优良特性，是目前唯一可以工程化应用的光纤，是光通讯网络的主体。锗也用于制造GaAs/Ge太阳能电池，这些电池在空间应用环境下具有高抗辐射阈值和性能稳定性。

红外锗片以其独特的材料特性和广泛的应用领域，在半导体技术和红外光学中发挥着至关重要的作用。