LET-5000半导体测试系统能在2200V（可扩展为8000V）和1000A （可扩展为6000A）的条件下实现**测量、分析功率半导体器件的静态参数。LET-5000具有快脉冲能力，并具有优异的宽电压和电流测量能力。这些功能能够对最新的器件（例如 IGBT）和新型材料（例如 GaN 和 SiC）进行测量，可以测试器件包括：MOSFET、IGBT、二极管、三极管、JET、HEMT、光耦等。 LET-5000由多个独立的高精度源组成，每个功率源模块上配备两个独立的模数(AD)转换器支持2µs采样率，每个模块上的驱动能够独立**控制，对有可能影响器件特性的关键计时进行**监测。具有高电压和大电流特性、μΩ级导通电阻**测量、nA 级漏电流测量能力等特点，支持高压模式下功率器件结电容测试，如输入电容、输出电容、反向传输电容等。
被测对象及主要测试参数
|
被测对象 |
主要测试参数 |
|
分立器件 |
Id-Vg，Id-Vd，Ic-Vc,二极管 |
|
双极 |
Ic-Vc、二极管、Gummel 图、击穿、hfe、电容 |
|
Coms |
Id-Vg、Id-Vd、Vth、击穿、电容、***V等 |
|
内存 |
Vth、电容、耐久测试等。 |
|
MOSFET |
Id-Vds,Rds-Id,Id-Vgs,电容 |
|
IGBT |
Ic-Vce，Ic-Vge,Vce(sat),Vth Vge(off),击穿 |
|
太阳能电池 |
I-V、Cp-V、奈奎斯特图、DLCP 等。 |
|
纳米器件 |
电阻、Id-Vg、Id-Vd、Ic-Vc等。 |
|
GaN |
FET 电流衰减、Id-Vds 电流衰减、二极管电流 |
免责声明：当前页为 功率器件静态参数测试系统产品信息展示页，该页所展示的 功率器件静态参数测试系统产品信息及价格等相关信息均有企业自行发布与提供， 功率器件静态参数测试系统产品真实性、准确性、合法性由店铺所有企业完全负责。世界工厂网对此不承担任何保证责任，亦不涉及用户间因交易而产生的法律关系及法律纠纷，纠纷由会员自行协商解决。
友情提醒：世界工厂网仅作为用户寻找交易对象，就货物和服务的交易进行协商，以及获取各类与贸易相关的服务信息的渠道。为避免产生购买风险，建议您在购买相关产品前务必确认供应商资质及产品质量。过低的价格、夸张的描述、私人银行账户等都有可能是虚假信息，请您谨慎对待，谨防欺诈，对于任何付款行为请您慎重抉择。
投诉方式：fawu@gongchang.com是处理侵权投诉的专用邮箱，在您的合法权益受到侵害时，请将您真实身份信息及受到侵权的初步证据发送到该邮箱，我们会在5个工作日内给您答复，感谢您对世界工厂网的关注与支持！
(c)2008-2025 世界工厂网V3.6 All Rights Reserved 豫ICP备2024066506号
